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我國科學(xué)家提出鈣鈦礦電池新結(jié)構(gòu)方案,實(shí)現(xiàn)一項(xiàng)新世界紀(jì)錄

發(fā)布者:丹陽市鴻騰汽車塑件廠 發(fā)布時(shí)間:2023-2-20 8:46:38 點(diǎn)擊次數(shù):181 關(guān)閉

 2 月 20 日消息,從中國科學(xué)技術(shù)大學(xué)官方公眾號(hào)獲悉,該校徐集賢教授團(tuán)隊(duì)與合作者,針對鈣鈦礦太陽能電池中長期普遍存在的“鈍化 — 傳輸”矛盾問題,提出了一種命名為 PIC(多孔絕緣接觸)的新型結(jié)構(gòu)和突破方案,實(shí)現(xiàn)了 p-i-n 反式結(jié)構(gòu)器件穩(wěn)態(tài)認(rèn)證效率的世界紀(jì)錄,并在多種基底和鈣鈦礦組分中展現(xiàn)了普遍的適用性。相關(guān)研究成果 17 日發(fā)表在《科學(xué)》雜志上。

“鈍化-傳輸”矛盾問題在光電子器件中(例如太陽電池、發(fā)光二極管、光電探測器等)普遍存在。為了減少半導(dǎo)體表面的非輻射復(fù)合損失,需要覆蓋鈍化層來減少半導(dǎo)體表面缺陷密度。這些鈍化材料的導(dǎo)電率一般很低,增加其厚度會(huì)增強(qiáng)鈍化效果,但同時(shí)會(huì)導(dǎo)致電流傳輸受限。因?yàn)檫@個(gè)矛盾,目前這些超薄鈍化層的厚度需要極為精確的控制在幾個(gè)甚至一個(gè)納米內(nèi)(nm, 十億分之一米),載流子通過遂穿效應(yīng)等厚度敏感方式進(jìn)行傳輸,對于低成本的大面積生產(chǎn)不利。

據(jù)鴻騰科技了解知道,鈣鈦礦太陽電池技術(shù)近些年引起了廣泛關(guān)注,其主要器件類型包括鈣鈦礦單結(jié)、晶硅-鈣鈦礦疊層、全鈣鈦礦疊層電池等,有望在傳統(tǒng)晶硅太陽電池之外提供新的低成本高效率光伏方案。鈣鈦礦電池中,異質(zhì)結(jié)接觸問題帶來的非輻射復(fù)合損失已經(jīng)被普遍證明是主要的性能限制因素。由于“鈍化-傳輸”矛盾問題的存在,超薄鈍化層納米級(jí)別的厚度變化都會(huì)引起填充因子和電流密度的降低。因此各類鈣鈦礦器件都亟需一種新型的接觸結(jié)構(gòu),能夠在提高性能的同時(shí)大幅減少鈍化厚度的敏感性。

團(tuán)隊(duì)經(jīng)過長期思考和大量實(shí)驗(yàn)探索,提煉出這種 PIC 接觸結(jié)構(gòu)方案(圖 1)。其主要思想是不依賴傳統(tǒng)納米級(jí)鈍化層和遂穿傳輸,而直接使用百納米級(jí)厚度的多孔絕緣層,迫使載流子通過局部開孔區(qū)域進(jìn)行傳輸,同時(shí)降低接觸面積。研究團(tuán)隊(duì)的半導(dǎo)體器件建模計(jì)算揭示了這種 PIC 結(jié)構(gòu)周期應(yīng)該與鈣鈦礦載流子傳輸長度匹配的關(guān)鍵設(shè)計(jì)原理。PIC 方案與晶硅太陽能電池領(lǐng)域的局部接觸技術(shù)有異曲同工之妙,但是不同的是,鈣鈦礦中的載流子擴(kuò)散長度較單晶硅要短很多,從毫米級(jí)別大幅減小到微米甚至更短,這就要求 PIC 的尺寸和結(jié)構(gòu)周期要在百納米級(jí)別。傳統(tǒng)的晶硅局部接觸工藝不能夠直接滿足這種精度要求,而使用高精度微納加工技術(shù)在制備面積和成本方面存在不足。對此挑戰(zhàn),團(tuán)隊(duì)巧妙利用了納米片的尺寸效應(yīng),通過 PIC 生長方式從常規(guī)“層 + 島”(Stranski-Krastanov)模式向“島狀”(Volmer-Weber)模式的轉(zhuǎn)變,成功由低溫低成本的溶液法實(shí)現(xiàn)了這種納米結(jié)構(gòu)的制備(圖 2)。


團(tuán)隊(duì)在疊層器件中廣泛使用的 p-i-n 反式結(jié)構(gòu)中開展了 PIC 方案的驗(yàn)證,首次實(shí)現(xiàn)了空穴界面復(fù)合速度從~60cm / s 下降至 10cm / s (圖 3),以及 25.5% 的單結(jié)最高效率(p-i-n 結(jié)構(gòu)穩(wěn)態(tài)認(rèn)證效率紀(jì)錄 24.7%)(圖 4)。這種性能的大幅改善在多種帶隙和組分的鈣鈦礦中都普遍存在,展現(xiàn)了 PIC 廣泛的應(yīng)用前景。另外,PIC 結(jié)構(gòu)在多種疏水性基底都實(shí)現(xiàn)了鈣鈦礦成膜覆蓋率和結(jié)晶質(zhì)量的提高(載流子體相壽命大幅提升),對于大面積擴(kuò)大化制備也很有意義。

值得注意的是,PIC 方案具有普遍性,可進(jìn)一步在不同器件結(jié)構(gòu)和不同界面中推廣拓展;同時(shí)模擬計(jì)算指出目前實(shí)驗(yàn)實(shí)現(xiàn)的 PIC 覆蓋面積還遠(yuǎn)未達(dá)到其設(shè)計(jì)潛力,可進(jìn)一步優(yōu)化獲得更大的性能提升。


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