根據(jù)TrendForce集邦咨詢最新報(bào)告《2022第三代半導(dǎo)體功率應(yīng)用市場報(bào)告》顯示，雖受俄烏沖突與疫情反復(fù)影響，消費(fèi)電子等終端市場需求有所下滑，但應(yīng)用于功率元件的第三代半導(dǎo)體在各領(lǐng)域的滲透率仍然呈現(xiàn)持續(xù)攀升之勢，800V汽車電驅(qū)系統(tǒng)、高壓快充樁、消費(fèi)電子適配器、數(shù)據(jù)中心及通訊基站電源等領(lǐng)域的快速發(fā)展，推升了2022年SiC/GaN功率半導(dǎo)體市場需求。
TrendForce集邦咨詢聚焦SiC/GaN功率半導(dǎo)體市場，以終端應(yīng)用需求探討與分析市場規(guī)模、機(jī)會與挑戰(zhàn)、供應(yīng)鏈，提供讀者對于第三代半導(dǎo)體功率電力電子市場更全面的了解。
01 SiC功率半導(dǎo)體
成本是限制SiC功率元件大規(guī)模應(yīng)用的核心因素，Wolfspeed全球首座8英寸SiC晶圓廠的啟動，無疑為整個(gè)產(chǎn)業(yè)傳遞了極為重要的訊號，而Soitec、爍科晶體以及中科院物理研究所亦在今年取得了8英寸襯底突破。由此可見，被市場寄予厚望的擴(kuò)徑降本舉措已初見成果。
另一方面，業(yè)界正從最原始的晶體生長以及襯底加工環(huán)節(jié)來進(jìn)一步降低成本，這包括TSSG晶體生長法、激光切割技術(shù)等。
目前SiC功率元件市場主要由歐美日IDM大廠掌控，關(guān)鍵供貨商STM、ON Semi、Wolfspeed、Infineon以及ROHM在此領(lǐng)域深耕已久，并開始在關(guān)鍵汽車市場展開激烈競爭。
根據(jù)TrendForce集邦咨詢調(diào)查與分析，隨著越來越多車企開始在電驅(qū)系統(tǒng)中導(dǎo)入SiC技術(shù)，預(yù)估2022年車用SiC功率元件市場規(guī)模將達(dá)到10.7億美元，至2026年將攀升至39.4億美元。
另一方面，隨著SiC需求進(jìn)入爆發(fā)期，F(xiàn)oundry也逐漸興起。除卻X-FAB與漢磊兩大成熟廠商，中國大陸已出現(xiàn)積塔半導(dǎo)體、長飛先進(jìn)、百識電子&寬能半導(dǎo)體、芯粵能等專屬代工廠，而韓國硅晶圓代工業(yè)者DB HiTek亦決心挑戰(zhàn)8英寸SiC晶圓代工，服務(wù)于車用MOSFET。
02 GaN功率半導(dǎo)體
基于Si襯底構(gòu)建的GaN功率元件已成為業(yè)界主流，但至今仍受限于中、低壓應(yīng)用場景，因此業(yè)界持續(xù)嘗試以GaN-on-Sapphire、GaN-on-GaN以及GaN-on-QST等其他結(jié)構(gòu)來解決這一問題。
GaN-on-Si功率元件具備極佳的成本優(yōu)勢，已率先在消費(fèi)電子市場放量，Navitas和GaN Systems產(chǎn)品在今年進(jìn)入了Samsung旗艦手機(jī)快速充電器，而英諾賽科則創(chuàng)造性的將GaN技術(shù)引入手機(jī)內(nèi)部充電保護(hù)，亦為市場注入了新的活力。
當(dāng)然，Transphorm等廠商早已將目光轉(zhuǎn)向數(shù)據(jù)中心、通訊基站等工業(yè)及汽車市場，這些領(lǐng)域蘊(yùn)含著巨大的滲透機(jī)會，是未來GaN功率元件的重點(diǎn)應(yīng)用方向。
相對SiC，GaN產(chǎn)業(yè)的垂直分工趨勢則比較明顯，初創(chuàng)Fabless正不斷涌入市場，代工廠迎來了巨大的發(fā)展機(jī)會。憑借領(lǐng)先的GaN-on-Si制程能力和多年積累的客戶信任度，臺積電掌握了絕大部分客戶資源，其產(chǎn)能也持續(xù)滿載。而為了迎接未來龐大的市場需求，各大廠商也開始尋求多元化的代工策略，但從目前來看，這十分困難。（文：集邦咨詢）
集邦咨詢 2022第三代半導(dǎo)體功率應(yīng)用市場分析報(bào)告
出刊日期: 2022年07月25日
報(bào)告語系: 中文/英文
報(bào)告格式: PDF
報(bào)告頁數(shù):125
一、 第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)概況
二、 SiC功率半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈結(jié)構(gòu)分析
1) 全球SiC產(chǎn)業(yè)格局
2) SiC供應(yīng)鏈情形
3) SiC設(shè)備—單晶生長
SiC設(shè)備—襯底加工
SiC設(shè)備—外延
SiC設(shè)備—芯片制程
4) SiC襯底—簡況
SiC襯底—廠商情況
SiC襯底—技術(shù)發(fā)展趨勢
SiC襯底—工藝水平差距
SiC襯底—尺寸與價(jià)格趨勢
SiC襯底—競爭格局
SiC襯底—中國產(chǎn)線布局
SiC襯底—中國產(chǎn)能情況
5) SiC外延片—發(fā)展現(xiàn)狀
SiC外延片—中國廠商動態(tài)
6) SiC功率器件—發(fā)展現(xiàn)狀
SiC功率器件—SBD
SiC功率器件—MOSFET
SiC功率器件—Module
SiC功率器件—廠商情況
SiC功率器件—競爭格局
SiC功率器件—專利格局
SiC功率器件—市場規(guī)模
SiC功率器件—中國產(chǎn)線布局
7) Foundry—發(fā)展現(xiàn)狀
Foundry—供應(yīng)鏈關(guān)系
Foundry—中國廠商動態(tài)
三、 GaN功率半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈結(jié)構(gòu)分析
1) 全球GaN產(chǎn)業(yè)格局
2) GaN功率半導(dǎo)體供應(yīng)鏈情形
3) GaN設(shè)備—外延
4) Si襯底—發(fā)展現(xiàn)狀
5) GaN外延片—發(fā)展現(xiàn)狀
GaN外延片—廠商情況
GaN外延片—制備工藝
6) GaN功率器件—發(fā)展現(xiàn)狀
GaN功率器件—廠商情況
GaN功率器件—競爭格局
GaN功率器件—專利格局
GaN功率器件—市場規(guī)模
GaN功率器件—中國產(chǎn)線布局
7) Foundry—發(fā)展現(xiàn)狀
Foundry—供應(yīng)鏈關(guān)系
Foundry—中國廠商動態(tài)
四、 第三代半導(dǎo)體功率應(yīng)用場景分析
1) 汽車—簡況
汽車—供應(yīng)鏈關(guān)系
汽車—主逆變器
汽車—車載充電機(jī)
汽車—DC/DC轉(zhuǎn)換器
汽車—激光雷達(dá)
汽車—SiC上車進(jìn)展
汽車—GaN上車進(jìn)展
汽車—滲透率
汽車—SiC/GaN市場規(guī)模
汽車—中國廠商動態(tài)
2) 消費(fèi)電子—簡況
消費(fèi)電子—供應(yīng)鏈關(guān)系
消費(fèi)電子—發(fā)展趨勢
消費(fèi)電子—技術(shù)路線
消費(fèi)電子—市場分布
消費(fèi)電子—滲透率
消費(fèi)電子—SiC/GaN市場規(guī)模
消費(fèi)電子—中國廠商動態(tài)
3) 可再生能源—簡況
可再生能源—供應(yīng)鏈關(guān)系
可再生能源—發(fā)展現(xiàn)狀
可再生能源—滲透率
可再生能源—SiC/GaN市場規(guī)模
可再生能源—中國廠商動態(tài)
五、 中國第三代半導(dǎo)體功率市場供求關(guān)系分析
1) SiC襯底主要供應(yīng)格局
2) SiC襯底市場規(guī)模
3) SiC晶圓需求情況—汽車
SiC晶圓需求情況—可再生能源
SiC晶圓需求情況—充電樁
SiC晶圓需求情況—工業(yè)
4) 中國導(dǎo)電性SiC襯底產(chǎn)能情況
5) 中國SiC功率市場供求關(guān)系總結(jié)
6) GaN-on-Si晶圓需求情況—消費(fèi)電子
GaN-on-Si晶圓需求情況—數(shù)據(jù)中心與通訊
GaN-on-Si晶圓需求情況—汽車
7) 中國GaN-on-Si外延片產(chǎn)能情況
8) 中國GaN功率市場供求關(guān)系總結(jié)
六、 第三代半導(dǎo)體功率產(chǎn)業(yè)鏈主要廠商分析
Wolfspeed廠商分析
Infineon廠商分析
STM廠商分析
On Semi廠商分析
ROHM廠商分析
Navitas廠商分析
Transphorm廠商分析
GaN Systems廠商分析
天科合達(dá)廠商分析
英諾賽科廠商分析
三安光電廠商分析
七、 第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展趨勢及策略建議
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